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| Marca: | Samsung |
| SKU: | 21_T_0179_SAM8806094215021 |
| EAN: | 8806094215021 |
| MPN: | SAM8806094215021 |
| Dati su imballaggio | |
| Tipo di imballo | Scatola |
| Dimensioni e peso | |
| Peso | 9 g |
| Altezza | 22 mm |
| Profondità | 2,3 mm |
| Larghezza | 80 mm |
| Condizioni ambientali | |
| Massima temperatura di funzionamento | 70 °C |
| Vibrazione di funzionamento | 1500 G |
| Intervallo temperatura di funzionamento | 0 - 70 °C |
| Gestione energetica | |
| Consumo energetico (max) | 7,8 W |
| Tensione di esercizio | 3,3 V |
| Consumo energetico (medio) | 5,4 W |
| Caratteristiche | |
| Velocità di scrittura | 6900 MB/s |
| Supporto S.M.A.R.T. | Sì |
| Scrittura casuale (4KB) | 1550000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) |
| NVMe | Sì |
| Quantità di cache DDR esterna | 1024 MB |
| Componente per | PC |
| Versione di NVMe | 2.0 |
| Velocità di lettura | 7450 MB/s |
| Capacità SSD | 1000 GB |
| Algoritmi di sicurezza supportati | 256-bit AES |
| Supporto di DevSIp (standby del dispositivo) | Sì |
| criptaggio hardware | Sì |
| Supporto TRIM | Sì |
| Cache DDR esterna | Sì |
| Dimensione SSD | M.2 |
| Interfaccia | PCI Express 4.0 |
| Tempo medio tra guasti (MTBF) | 1500000 h |
| Tipo memoria | V-NAND MLC |
| Lettura casuale (4KB) | 1200000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) |
| Linee dati dell'interfaccia PCI Express | x4 |
